中国长鑫存储开始量产HBM2内存 比预期大大提前

据DigiTimes报道，中国领先的内存制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）已开始大规模生产HBM2内存。如果该报道属实，那么这家中国公司将比生产这种对尖端人工智能和高性能计算处理器至关重要的内存芯片的预期时间提前两年左右。

今年早些时候，Tom'sHardware报道称，长鑫存储开始采购生产高带宽内存（HBM）产品所需的工具；通常至少需要一年（更有可能是两年）的时间才能开始量产，并达到相当的产量。CXMT已经向美国和日本的供应商订购了设备，包括应用材料（AppliedMaterials）和LamResearch在内的美国公司已经获得了供应晶圆厂工具的出口许可证。

生产HBM是一个复杂的过程：显然，中国对存储器技术自给自足的愿望非常强烈，因此长鑫存储开始提前生产HBM2存储器，尽管产量尚不清楚。

HBM因其1024位宽接口和相对较高的数据传输速率（HBM2的每个引脚传输速率约为2GT/s至3.2GT/s）而成为带宽方面的佼佼者。宽接口和垂直堆叠设计意味着生产HBM设备不需要最新的光刻技术，但需要足够的制造能力：HBMDRAM集成电路的物理尺寸大于长鑫存储制造的典型商品DRAM。事实上，全球领先的DRAM制造商通常使用成熟的技术生产HBM2E和HBM3产品，因此可能长鑫存储也会采用类似的技术。

然而，HBM的生产需要先进的封装技术。使用小型硅通孔（TSV）垂直连接8或12个存储器件是一个复杂的过程。尽管如此，组装类似于HBM的已知良好堆叠裸片(KGSD)模块的难度实际上低于使用10纳米级工艺技术制造DRAM器件。

目前，长鑫存储的HBM2生产仍然落后于美光、三星和SK海力士等全球竞争对手的DRAM技术，因为这些公司已经开始量产HBM3和HBM3E内存，并准备在未来几年内量产2048位接口的HBM4。

但总体而言，对中国而言，HBM2是其先进AI和HPC处理器的关键技术。华为的Ascend910系列处理器使用了HBM2内存，在国内生产这种内存对中国科技行业来说是一件大事。