三星电子（SamsungElectronics）将引进其首个High-NA0.55EUV光刻工具，从而实现半导体制造技术的重大飞跃。该公司计划在2024年第四季度至2025年第一季度期间在其华城园区安装ASMLTwinscanEXE:5000系统，这标志着其在开发用于逻辑和DRAM生产的下一代工艺技术方面迈出了关键一步。

此举使三星在采用High-NAEUV技术方面落后于英特尔一年，但领先于竞争对手台积电和SK海力士。该系统预计将于2025年中期投入使用，主要用于研发目的。

三星不仅关注光刻设备本身，还在围绕High-NAEUV技术建立一个全面的生态系统。该公司正在与几个重要的合作伙伴合作，如Lasertec（开发用于High-NA光罩的检测设备）、JSR（开发先进的光刻胶）、东京电子（增强蚀刻机）和Synopsys（在光罩上转向曲线图案，以提高电路精度）。High-NAEUV技术有望在芯片制造方面取得重大进展。

与目前的低纳秒级超紫外系统相比，High-NA秒级超紫外技术具有8纳米的分辨率能力，可使晶体管的尺寸缩小约1.7倍，晶体管密度提高近三倍。然而，向高NAEUV过渡也面临着挑战。这些工具更加昂贵，每件成本高达3.8亿美元，而且成像区域较小。其较大的尺寸也要求芯片制造商重新考虑晶圆厂的布局。

尽管存在这些障碍，三星的目标是到2027年实现High-NA超高真空技术的商业应用。