日本NikkanKogyoShimbun（日刊工业新闻）报道说，Rapidus将在两个尖端半导体生产基地安装总共十台"极紫外（EUV）曝光工具"。这意味着日本政府推动半导体产业的力度再度加强，目标是让Rapidus赶超台积电等公司。

其2nm级工艺节点将于2027年在目前正在建设中的"创新集成制造一号"（IIM-1）工厂投入运行。去年12月日本迎来了第一台ASMLNXE:3800EEUV光刻机，这标志着该技术在日本的首次部署。 

《日刊工业新闻》的报道援引了Rapidus首席执行官小池淳义的讲话，根据这位老板的说法，10台新机器将分布在两个制造工厂：上述的IIM-1和IIM-2。第二个工厂预计将在IIM-1建成后不久投入使用。 

目前尚不清楚代工厂是否会安装更多的ASMLNXE:3800E光刻机，也没有透露确切的时间框架。《日经新闻》的一篇较早的文章指出，将于4月（2025年）左右在Rapidus的晶圆厂开始试运行，采用2纳米一代全栅极(GAA)技术。根据推测的时间表，首批样品将于今年年中运往美国博通公司（Broadcom）。