AMD 3D V-Cache RAM的读写速度分别超过182和175GB/s

AMD的3DV-Cache技术利用堆叠在CPU内核所在的CPU逻辑芯片顶部的SRAM块，允许处理器访问大量缓存池以进行应用。不过，将这种额外的三级（L3）缓存用作内存盘似乎也是可行的，L3SRAM的行为类似于存储驱动器，不过测试中只有将L3暴露在CrystalDiskMark基准下才有可能做到这一点，而现实世界中的应用程序则无法以CrystalDiskMark的方式做到这一点。

根据X/Twitter用户Nemez（@GPUsAreMagic）的说法，复制此程序的步骤如下：获取带有3DV-Cache的AMDRyzenCPU，安装OSFMount并创建一个FAT32格式的RAM磁盘，然后运行CrystalDiskMark，将值设置为SEQ256KB、队列深度1、线程16，数据填充为0而不是随机。

实验结果看起来相当惊人，因为L3SRAM的特性是内存很小，但速度非常快，CPU可以访问，因此它可以在进入系统RAM之前帮助本地加载数据。使用AMDRyzen75800X3D，该内存盘的读取速度超过182GB/s，写入速度超过175GB/s。在阿尔伯特-托马斯（@ultrawide219）分享的另一项测试中，我们看到了基于AMDRyzen7800X3DV-Cache的RAM磁盘，读取速度超过178GB/s，写入速度超过163GB/s，得分稍低。同样，CrystalDiskMark仅在16MiB和32MiB之间的小分配上进行了这些测试，因此实际工作负载还无法使用这些测试。