英特尔CEO称18A节点至少能与台积电的N2性能相媲美

随着半导体制造商巩固其3纳米制程并加紧向2纳米制程的竞争，台积电和英特尔最近就哪家公司将在未来几年内拥有更优越的节点展开了激烈的争论。台积电对自己目前的发展道路充满信心，但英特尔的目标是抢先进入2纳米工艺，重新确立在半导体行业的主导地位。

英特尔首席执行官帕特-盖尔辛格（PatGelsinger）声称，尽管英特尔即将推出的18A工艺节点（基本上是1.8纳米）比台积电的2纳米芯片早一年推出，但其性能可能超过台积电的2纳米芯片。这一言论与台湾竞争对手最近的说法相矛盾。盖尔辛格是在接受《巴伦周刊》采访时发表上述言论的。

他不确定一个节点是否会明显优于另一个节点，但他对公司的发布窗口持乐观态度。该媒体将英特尔与台积电的竞争置于美国试图在与中国的紧张关系中确保半导体供应的背景之下。作为市场领导者，台积电为苹果公司的iPhone15和M3Mac处理器提供3nm芯片。

该公司声称，即将推出的优化3纳米节点N3P将达到与英特尔18A相当的功耗性能。这家台湾巨头预计将在2024年下半年实现N3P的量产--大约与20A（2纳米）和18A同时出现。

此外，台积电相信其计划于2025年推出的2纳米N2节点将超越N3P和18A。根据该公司首创的3纳米工艺模式，苹果公司可能会优先获得N2节点，并将其用于iPhone17Pro。

盖尔辛格对20A和18A充满信心，主要是因为它们采用了RibbonFET架构--该公司采用了全栅极(GAA)晶体管和背面功率传输技术。这些技术对于制造2纳米芯片的公司来说至关重要，可以在降低功率泄漏的同时实现更高的逻辑密度和时钟速度。与此同时，台积电的N3P和其他即将推出的3nm节点将继续使用成熟的FinFET架构，直到英特尔一年后的N2节点转向GAA。

英特尔和台积电并不是唯一准备制造2纳米半导体的公司。三星也希望在2025年进入2纳米量产，而日本制造商Rapidus则计划在2025年推出原型，并在2027年开始量产。