三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存

除了37GbpsGDDR7内存外，三星电子还准备在2024年IEEE-SSCC上展示其他几项内存创新。首先，该公司将展示新型280层3DQLCNAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

目前为旗舰NVMeSSD提供动力的最快3DNAND闪存类型的I/O数据传输速率大约为2.4GB/s。

即将到来的2024年ISSCC日程表概述了高速内存的展示计划，其中包括基于三星和SKHynixGDDR7规格的37Gb/s和35.4Gb/s变体。两家公司都打算利用创新的PAM3和NRZ信号技术，在图形存储器领域取得进步。

虽然GDDR7内存（速度高达32Gb/s）已经正式发布，但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光（Micron）也加入了这场竞争，宣布致力于开发36Gb/s的GDDR7内存，预计最早将于2026年投放市场。在这种竞争态势下，三星和海力士将首先推出速度稍低的模块，很可能在稍后阶段逐步推出35Gb/s模块。

接下来是新一代DDR5内存芯片，其数据传输率为DDR5-8000，密度为32Gbit（4GB）。该芯片采用对称马赛克DRAM单元架构，基于三星专为DRAM产品优化的第5代10纳米级代工节点制造。

该芯片令人印象深刻的是，它允许PC内存供应商以DDR5-8000的速度构建32GB和48GBDIMM（单排配置），以及64GB和96GBDIMM（双排配置）（前提是平台能很好地使用双排的DDR5-8000）。

内存速度和带宽一览：