台积电2纳米节点将于2024年第四季度进入风险生产

据台湾行业媒体DigiTimes报道，台积电的尖端2纳米EUV代工节点预计将于2024年第四季度进入风险产品阶段。2纳米将是该代工公司的一个重要里程碑，因为这将是该公司首次采用GAA（栅极环绕）场效应晶体管。

这是FinFET的后继技术，FinFET推动了硅制造节点从16纳米到3纳米近十年的发展。GAAFET技术对于代工厂在2纳米和1纳米之间的发展至关重要。 

台积电预计将在位于台湾北部新竹科学园区宝山园区的新晶圆厂冒险生产2纳米节点的芯片。如果风险生产一切顺利，预计将于2025年第二季度实现芯片量产。

在此之前，该公司最终FinFET节点N3系列的改进仍将是硅制造的最前沿。三星也为其2纳米节点（被称为SF2）的量产设定了类似的2025年目标。

在太平洋彼岸，英特尔代工服务公司的英特尔20A节点采用了GAAFET（又称RibbonFET）技术，其目标时间类似，包括雄心勃勃的2024年量产目标。