SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术

SKhynix今天宣布，该公司最近与台积电签署了一份谅解备忘录，双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一举措着手开发HBM4，即HBM系列的第六代产品，预计将于2026年量产。

SKhynix表示，与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的HBM技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能。HBM是在采用TSV技术的基底芯片上堆叠核心DRAM芯片，并通过TSV将DRAM堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成HBM封装。位于底部的基础芯片连接到GPU，由GPU控制HBM。

SKhynix采用专有技术制造HBM3E以下的基础芯片，但计划在HBM4的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于SKhynix生产定制的HBM，满足客户对性能和能效的需求。

SKhynix和台积电还同意合作优化SKhynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。

Khynix总裁兼AIInfra负责人JustinKim说："我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系，帮助我们加快与客户的开放式合作，并开发出业界性能最佳的HBM4。有了这次合作，我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力，进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。"

"多年来，台积电和SKhynix已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来，台积电与SKhynix已经建立了稳固的合作关系，我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM，提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代HBM4，我们有信心继续紧密合作，提供最佳集成解决方案，为我们的共同客户开启新的人工智能创新。"