第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

TrendForce最新预测显示，第二季度DRAM合约价格预计将上涨13-18%，NANDFlash合约价格则调整为15-20%，只有eMMC/UFS的价格涨幅较小，约为10%。

在花莲地震之前，TrendForce最初预测DRAM合约价格将季节性上涨3-8%，NANDFlash将上涨13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于DRAM和NAND闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。

地震后，市场上出现了一些零星的报道，称PCOEM供应商出于特殊考虑，接受DRAM和NANDFlash合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到4月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使TrendForce上调了第二季度DRAM和NANDFlash的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。

TrendForce报告称，制造商对HBM产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用1Alpha工艺节点的HBM3e产品预计到2024年底将使用约60%的产能。这一大幅分配预计将限制DDR5供应商，尤其是在第三季度HBM3e产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的HBM短缺做好准备。

随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美CSP正在采用QLC企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对QLC企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非HBM晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对NAND闪存的投资，因为目前NAND闪存的价格处于盈亏平衡点。