今年4月18日，华为Pura70系列（原P70系列）在没有产品发布会的情况下直接正式开售，这款搭载了华为最新的Kirin9010处理器的手机也引发了国内网友的抢购。近日，国外拆解机构iFixit联合其合作伙伴TechSearchInternational对于Pura70Pro进行了拆解，并分析了其主板上相关元器件。
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先来看SoC处理器所在这一面的主板，与许多现代手机处理器与DRAM封装一样，Kirin9010处理器是堆叠在12GBSKHynixDRAM芯片下方。
取下SKHynixDRAM芯片之后，我们看到该面主板上的主要元器件型号如下：
△红色：海思Hi36A0GFCV121（Kirin9010）
橙色：3GC10D95FV0YG1TBNANDFlash
黄色：立锜RT9471D3A单节开关电池充电管理IC
绿色：南芯（Southchip）SC8565可能是开关电容器电源转换器
天蓝色：艾为（Awinic）AW86927触觉驱动器
蓝色：力芯微（ETEKMicroelectronics） ET7303USBType-C供电控制器
紫色：圣邦微（SGMicro）SGM6611C7A同步升压转换器
△红色：力芯微ET2095负载开关
橙色：艾为AW32905过压保护负载开关
黄色：圣邦微SGM2578AAD负载开关
绿色：海思Hi1105GFCV120WiFi6、蓝牙、GNSS、FM和红外控制器
仔细观察Kirin9010芯片，可以看到芯片外部标记似乎与旧版Kirin9000S相近。iFixit的一位行业专家指出，该芯片标识并不寻常，因为新芯片通常有自己的型号，而Kirin 9010（型号HI36A0修订版GFCV121）与Kirin 9000S（型号HI36A0修订版GFCV120）则是共享相同的型号。
之前TechInsights报告称，Kirin9010似乎采用了与Kirin9000s相同的制程工艺。普遍的看法是，Kirin 9010的核心基于Kirin 9000S的设计的修改，旨在提高产量。不过，这些改进可能不仅限于生产——早期的基准测试表明Kirin 9010的性能也比Kirin 9000S提升了一些。
对比Kirin 9000S、Kirin 9010和高通骁龙8Gen3之间的基准测试，可以看出Kirin 9010的性能确实要比Kirin 9000S提升了个位数百分比，但是远低于台积电N4P制造的高通骁龙8Gen3。
为了实现这些个位数百分比的性能提升，Kirin 9010的12核SoC使用六个运行频率为1.55GHz的ARMCortex-A510效率核心，搭配四个运行频率为2.18GHz的Taishanv121核心和两个运行频率为2.3GHz的Taishanv121核心。
拆解报告还显示，华为Pura70Pro内部搭载了1TBNANDFlash闪存。从TechSearch基于X射线照片的分析来看，倒装芯片连接的闪存控制器芯片顶部有八个NANDFlashdie，即该1TBNANDFlash闪存内部由8个NANDFlash芯片与闪存控制器堆叠而成。
TechSearch认为华为海思可能设计了配套的闪存控制器，并对采购的NANDFlash芯片进行了测试和封装，但存储控制器本身缺乏标记，因此无法确定这一判断。
△1TBNANDFlash芯片中封装的闪存控制器
至于NANDFlash芯片的供应商并不确定，因为芯片封装上未找到任何标记来明确识别制造商，但它很可能是由中国本土厂商设计和制造的。
继续看主板的另一面：
△红色：海思Hi6421GFCV950电源管理IC
橙色：海思Hi6423GFCV250电源管理IC
黄色：可能是维普创新（WPInno）WP5701GC无线充电控制器
绿色：汇顶科技TFA9874C音频放大器
天蓝色：艾为AW3642LED闪光灯驱动器
蓝色：OmniVisionWL2868C摄像头电源管理
紫色：圣邦微SGM66055升压转换器
黑色：可能是海思RTQQ0Q0BB前端模块
白色：BoschSensortecBMI270加速度计和陀螺仪
再来看RF子板：
△红色：可能是海思VTQQ7Q0U6射频收发器
橙色：可能是海思RTQQ0Q0BB前端模块
黄色：昂瑞微（OnMicro）OM9902-11相5N多模多频段功放模块
另外，根据Techinsights的最新报告显示，华为Pura70Pro的4个图像传感器中，有三个是 Omnivision的（另一个是索尼的CIS），并且其中两个是在中国制造的。
小结：
从华为Pura70Pro拆解后内部的元器件分析来看，上面列出的29款元器件当中，有26款都是由中国厂商（含台企立锜)供应，国产占比达90%，并且其中似乎有8款来自华为海思的自研芯片。这也反应了国产元器件供应链已经基本能够比较完整的覆盖国产高端智能手机所需的各类元器件。