三星电子将为苹果下一代XR设备打造LLWD DRAM产品

据悉，三星电子正全力投入为苹果即将推出的下一代XR设备量身打造LLW（LowLatencyWideIO）DRAM产品。LLWDRAM作为一种革命性的高性能内存解决方案，以其丰富的I/O引脚设计，实现了前所未有的高带宽、超低延迟及节能效果，预示着其在未来端侧AI领域的广泛应用前景，并有望逐步取代现有的LPDDR技术。

苹果VisionPro头显当前所采用的R1芯片已率先搭载了由SK海力士独家供应的LLWDRAM，该内存不仅提供了256GB/s带宽，还以1GB的容量和相较于传统内存八倍的I/O引脚数，展现了其在数据传输速度上的巨大优势。若以LPDDR5的64位位宽作为对比，SK海力士提供的LLWDRAM位宽飙升至512位。

消息称，三星电子现已积极投身于LLWDRAM技术的研发之中，并已迈入小规模生产阶段，目标直指从SK海力士手中夺取这一新兴市场的份额。

关于苹果VisionPro的最新动态，市场传言其第二代产品定价区间将介于1500美元至2500美元之间。若“半价”传闻成真，则意味着消费者可能仅需支付约1750美元即可拥有这款尖端产品，相较于第一代VisionPro高达3500美元的售价，这无疑将极大提升其市场竞争力。