三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

三星在其2023年内存技术日上正式推出了包括HBM3E、GDDR7、LPDDR5xCAMM2等在内的下一代内存技术。我们已经报道过代号为"ShineBolt"的三星HBM3E内存和面向下一代人工智能、游戏和数据中心应用的GDDR7的发展情况。这些可以看作是2023年内存技术日的两大亮点，但三星肯定还有更多的动作。

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面向人工智能和数据中心的三星HBM3E"Shinebolt"内存

基于三星在2016年将业界首个HBM2商业化并为高性能计算（HPC）打开HBM市场的专业技术，该公司今天发布了名为Shinebolt的下一代HBM3EDRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理。

HBM3E每引脚速度高达9.8千兆比特每秒（Gbps），这意味着它可以实现超过1.2太字节每秒（TBps）的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性，三星优化了其不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的8H和12HHBM3产品目前已进入量产阶段，Shinebolt的样品也已交付给客户。

凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供将新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。

适用于下一代游戏显卡的三星GDDR7-32Gbps和32GbDRAM

会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及可显著提升服务器应用存储能力的PBSSD。

据三星称，与目前最快的24GbpsGDDR6DRAM相比，GDDR7内存将提高40%的性能和20%的能效，芯片容量最高可达16Gb。首批产品的额定传输速度达32Gbps，比GDDR6内存提高了33%，同时在384位总线接口解决方案上实现了1.5TB/s的带宽。

以下是32Gbps引脚速度在多种总线配置中提供的带宽：

512位-2048GB/秒（2.0TB/秒）

384位-1536GB/秒（1.5TB/秒）

320位-1280GB/秒（1.3TB/秒）

256位-1024GB/秒（1.0TB/秒）

192位-768GB/秒

128位-512GB/秒

该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品，但我们怀疑这些样品是否能大量生产，以满足下一代游戏和人工智能GPU的需求。

GDDR7显存的能效也将提高20%，考虑到显存对高端GPU的巨大功耗，这无疑是件好事。据悉，三星GDDR7DRAM将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物（EMC），可将热阻降低多达70%。早在8月份就有报道称，三星向英伟达（NVIDIA）提供了GDDR7DRAM样品，用于下一代游戏显卡的早期评估。

用于下一代CAMM2模块的三星LPDDR5x简化移动设计

为了处理数据密集型任务，当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此，三星推出了一系列内存解决方案，支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。

除了业界首款7.5GbpsLPDDR5XCAMM2（有望真正改变下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的游戏规则）之外，该公司还展示了9.6GbpsLPDDR5XDRAM、专用于设备上人工智能的LLWDRAM、下一代通用闪存（UFS）以及用于PC的大容量四级单元（QLC）固态硬盘BM9C1。