三星计划在2026年推出400层V-NAND 并在2027年实现DRAM技术进步

三星目前正在批量生产今年4月发布的第9代V-NAND闪存芯片，该芯片的层数达286层。据《韩国经济日报》报道，该公司的目标是到2026年至少生产400层堆叠的V-NAND闪存芯片。

2013年，三星成为首家推出垂直堆叠存储单元的V-NAND芯片的公司，以实现容量最大化。然而，超过300层的堆叠被证明是一个真正的挑战，内存芯片经常出现损坏的情况。 

据报道，为了解决这一问题，三星正在开发一种改进型第10代V-NAND产品，该产品将采用垂直键合（BV）NAND技术。这种技术的理念是先在不同的层上制造存储和外围电路，然后再将它们垂直粘合在一起。这是目前共封装（CoP）技术的重大转变。

 三星表示，新方法将把单位面积的比特密度提高1.6倍（60%），从而提高数据速度。

三星的路线图雄心勃勃，计划在2027年推出第11代NAND，预计I/O速率将提高50%，随后在2030年推出1000层NAND芯片。其竞争对手SKhynix也在开发400层NAND，目标是在2025年底实现量产，这一点我们在8月份曾提到过。 

三星是目前HBM市场的领导者，占有36.9%的市场份额，它还计划在DRAM领域推出第六代10纳米DRAM，即1cDRAM，时间是2025年上半年。然后，我们可以期待在2026年看到三星的第七代1d纳米（仍为10纳米），到2027年，该公司希望推出其第一代10纳米以下的DRAM，即0aDRAM内存，它将使用垂直通道晶体管(VCT)3D结构，类似于NAND闪存所使用的结构。