SK海力士正在NAND闪存领域获得技术优势 觊觎三星的主导地位

根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在NAND闪存市场的宝座发起冲击。SKHynix最新的"321层"NAND闪存芯片将大幅提升性能，这要归功于额外的单元层。SK海力士已经在HBM市场上给三星带来了不小的冲击，这对该公司来说是一个重要的里程碑。

虽然SKHynix是一家相对"小规模"的公司，但它在HBM领域为英伟达（NVIDIA）等人工智能巨头争取到的订单甚至超过了三星。

SKHynix最新推出的321层NAND芯片将为市场带来显著的性能提升，芯片的层数比上一代技术增加了35%，数据传输速度提高12%，读取性能提高13%，能效提高10%以上。

三星一直相当担心SKHynix在市场上的进展，自V-NAND被发明以来，该公司被称为垂直堆叠单元的"先驱"，可以大量增加层数从而提升存储密度和性能。但是，随着SKHynix可能在这一领域取得领先地位，三星在NAND领域的主导地位似乎可能会受到挑战。

SKHynix在NAND领域的领先地位固然令人惊讶，但必须指出的是，拥有高效的NAND生产线同样重要，而且鉴于三星在这一领域的统治地位，SKHynix将很难迎头赶上。然而，三星的低迷表现，再加上工艺问题迟迟难以解决导致新客户的进入受阻，给了SK海力士一个巨大的空白。

SK海力士和三星的竞争害不仅是一个商业问题，也是一个文化问题，两家公司都参与了在韩国市场的主导地位的竞争。