三星正在重新设计其 1c DRAM 工艺以提高良品率

报道称，三星最先进的DRAM工艺没有达到目标良品率，据说约为60%-70%，这也是这家韩国巨头无法进入量产阶段的原因。据称，主要问题在于1cDRAM芯片的尺寸，三星最初的重点是缩小尺寸以实现更高的产量，但这意味着该公司要在工艺稳定性上做出妥协，从而导致良品率降低。

三星电子改变了1cDRAM的设计，增大了芯片尺寸，并致力于提高良品率，目标是在今年年中实现。看来他们正专注于下一代内存的稳定量产，即使成本更高。

-ZDNet韩国

由于SK海力士和美光等竞争对手已经完善了自己的HBM4设计，留给三星的时间已经不多了，尤其是在HBM3失败之后。

目前，三星第6代DRAM工艺的发展还存在不确定性，但据称我们可以在未来几个月内看到进展，这有可能使三星的HBM4工艺步入量产轨道，预计将于今年年底量产。