SK Hynix开始提供全球首批12层HBM4样品 容量36GB 数据速率2TB/s

SKHynix刚刚宣布推出其下一代12-HiHBM3e和SOCAMM内存，同时还发布了全球首批12-HiHBM4样品，NVIDIA最新的GB300AI芯片提供动力的HBM3E内存也已准备就绪该公司宣布将在3月17日至21日在加利福尼亚州何塞举行的GTC2025活动上推出其领先的12-HiHBM3E和SOCAMM内存。

该公司一直是三星和美光的主要竞争对手，并为NVIDIA强大的AI芯片制造了最新的SOCAMM（小型压缩附加内存模块）。这是基于流行的CAMM内存，该内存用于NVIDIA的芯片，但将是一种低功耗DRAM。

SKHynixSOCAMM内存将有助于大幅提高内存容量，提高AI工作负载的性能，同时保持节能。除了SOCAMM，SKHynix还将展示其为NVIDIA制造最新BlackwellGB300GPU而提供的12-HighHBM3E内存。SKHynix与NVIDIA就GB300AI芯片达成了独家协议，并且已经领先于竞争对手。

SKHynix去年9月已量产12HHBM3E，而三星大概还需要几个月才能赶上SKHynix。SKHynix的高管将在GTC活动上展示产品，其中包括首席执行官KwakNoh-Jung、总裁兼AIInfra首席营销官JuseonKim和全球S&M负责人LeeSangrak等。官方表示：

SK海力士凭借其在HBM市场领先的技术优势和生产经验，提前交付了样品，并将启动客户认证流程。SK海力士计划在今年下半年完成12层HBM4产品量产的准备工作，巩固其在下一代AI内存市场的地位。

此次提供的样品的12层HBM4具有业界最佳的容量和速度，这对于AI内存产品至关重要。

 该产品首次实现了每秒处理数据量超过2TB（兆兆字节）的带宽1。这意味着每秒处理的数据量相当于400多部全高清电影（每部5GB），比上一代HBM3E快60%以上。

SK海力士还采用了先进的MR-MUF工艺，实现了36GB的容量，这是12层HBM产品中最高的容量。该工艺的竞争力已通过上一代产品的成功生产得到证实，有助于防止芯片翘曲，同时通过改善散热来最大限度地提高产品稳定性。

最后，该公司还将展示其领先的12-HiHBM4内存，该内存目前正在开发中，并正在向包括NVIDIA在内的主要客户提供样品，这些客户将在Rubin系列GPU上使用该产品。12-HiHBM4内存每个堆栈的容量高达36GB，数据速率高达2TB/s。

该公司计划于2025年下半年量产12-HHBM4存储器，并将采用台积电的3nm工艺节点。