据报道中芯国际正在采用DUV打造5纳米工艺 良品率大约30-40% 成本高昂

中芯国际的制造能力可能不会很快局限于7纳米工艺，因为一份新的报告指出，这家中国半导体公司正在推进其5纳米技术。然而，与台积电等使用先进的超紫外光（EUV）设备的制造商相比，中芯国际被迫在其现有的DUV设备上批量生产这些"尖端"晶圆，这对该公司来说很可能是一项成本高昂的冒险。

中芯国际可能从政府获得价值数十亿美元的补贴，从而成功推进其5纳米工艺；目前尚不清楚预计产量。

华为预计将在明年推出P70、P70Pro和P70Art，因此这家前中国巨头需要在先进芯片方面保持市场竞争力。尽管麒麟9000S是一款7nmSoC，但由于美国对华为和中芯国际的制裁，它仍被认为是一项突破性成就。

据TheElec报道，一位不愿透露姓名的行业人士表示，深紫外工艺(DUV)的零部件供应目前跟不上中国的需求，预计这一特殊市场将进一步扩大。此外，他还提到中芯国际正在准备通过DUV实现5纳米工艺，这会使得光掩膜的使用量有望进一步增加。

中国半导体产业发展引发的半导体光掩膜短缺正蔓延到空白掩膜领域。空白掩膜是光掩膜的原材料。业内人士认为，这种现象可能会延伸到光掩膜的保护成分--胶粒。

据业内人士6日透露，国内用于曝光工艺的部件制造商正在经历繁荣。空白掩膜公司S&STech今年第三季度的累计销售额达到1009亿韩元。与去年同期相比增长了20.4%。该公司用于曝光工艺的部件销售额也有所增长。今年第三季度，FST的光罩累计销售额为700亿韩元，比去年同期增长5.3%。

空白掩膜是光掩膜的原材料，最近一直供不应求。它的制作方法是在高纯度石英上沉积金属屏蔽膜和防反射膜，然后涂上感光溶液。光掩膜是通过在其上雕刻半导体电路图案制成的。

胶层是光掩膜的保护部分。通过涂敷胶层，可以缩短光掩膜的更换周期，从而降低加工成本，提高生产率。

造成日益短缺的原因很复杂。除了中国无晶圆厂公司的数量不断增加（截至去年已达3243家）之外，中国光掩膜公司缺乏技术以及采用DUV的7纳米工艺也是原因之一。

一位业内人士说："中国掩膜厂生产的产品，质量低于TOPPAN和DNP，因此我们需要使用更多的空白掩膜和光刻胶。在采用DUV的7nm工艺生产中，与EUV相比需要大量的光掩膜，由于中芯国际正在准备采用DUV的5nm工艺，预计光掩膜的使用量会进一步增加。"

业内人士分析，在可预见的未来，这种情况可能会持续下去。这是因为光刻工艺组件的关键技术掌握在日本、美国和韩国的公司手中。光刻胶也是如此。Pellicle由日本公司信越（Shin-Etsu）、旭（Asahi）和三井（Mitsui）以及韩国公司FST生产。上个月，FST宣布投资330亿韩元，扩大其胶粒生产能力。

由于美国禁止荷兰的ASML等公司向中国供应下一代EUV机器，中芯国际别无选择，只能使用DUV设备继续5纳米工艺。我们曾报道过，一位前台积电（TSMC）高管表示，华为和中芯国际都有可能制造出5纳米SoC，但在现有设备下，这将耗费大量时间，产量较低，而且成本高昂。

报告没有深入探讨中芯国际5纳米工艺使用当前DUV硬件的预期良品率，但我们预计应该在30%至40%之间。尽管在竞争中落后了几代，但中国的企业已经证明，他们不需要与美国公司或任何外国公司合作就能推进芯片生产，在整体技术水平上，中芯国际还需要几年才能赶上台积电和三星的水平。