因性能问题 三星将V9 QLC NAND闪存量产推迟至2026年上半年

三星由于其第九代V9 QLC NAND闪存技术出现设计和性能问题，决定推迟该产品的大规模生产，预计要到2026年上半年才会开始。

三星V9 NAND采用280层设计，原先先推出了1TB的TLC版（三级单元），在2024年4月量产，随后于去年9月初步转向更复杂的QLC版（四级单元）。但业内消息称，首批V9 QLC芯片暴露出根本性设计缺陷，导致性能受限。

目前，三星在NAND市场总体上仍保持领先，但在QLC技术上落后于主要竞争对手，其最新高端QLC产品还停留在上一代V7，甚至没有发布V8的QLC版。

同期，日本的Kioxia推出了332层V10级NAND，SK hynix也取得突破，已开始量产321层2TB QLC NAND。

三星虽在今年2月展示了具备400+层、1TB容量的V10级TLC NAND，但暂未公布量产时间表。