曝长江存储计划进军DRAM市场 目标研发HBM

中国NAND闪存大厂长江存储传出将进军DRAM市场的消息，计划研发包括HBM在内的DRAM产品。HBM是一种用于生产AI芯片的关键技术，目前主要由美国美光、韩国SK海力士和三星主导生产，长鑫存储目前也在推进研发HBM。

消息人士透露，为了生产HBM，长江存储已经开始研发用于堆叠DRAM的硅穿孔（TSV）技术，并且新工厂部分可能会转为生产DRAM。

这一计划的曝光，使得美国DRAM大厂美光的股价在9月25日重挫3.02%，收于156.83美元。

长江存储在2022年被美国列入贸易黑名单“实体清单”，这可能对其研发和市场拓展带来一定挑战。

根据Counterpoint Research 24日的最新报告，2025年第二季度（4-6月），SK 海力士凭借其在HBM领域的领先地位，占据了全球HBM市场62%的份额，稳居全球最大HBM供应商。

美光以21%的市场份额首次超越三星，成为全球第二大HBM供应商，而三星的市场份额则降至17%，位居第三。