三星电子在下一代高带宽内存（HBM4）技术领域取得突破性进展，其HBM4芯片的生产良品率已提升至近80%的水平，达到了半导体行业俗称的“黄金良率”标准。这一成果大幅提升了三星在该领域的市场信心，为其在由SK海力士主导的“AI DRAM”市场中发起反攻奠定了坚实基础。
据悉，三星于今年2月正式启动HBM4内存的量产，初期推出的12层堆栈（12-Hi）规格单堆栈容量最高可达36GB，传输速率达到11.7至13.0 Gbps。在量产初期，其芯片良品率仅维持在60%左右，但凭借生产流程的加速调优，三星仅用时半年便提前达成了原本预定于年底实现的目标，良品率大幅上升至接近80%，改善速度显著超出业界预期。
技术细节方面，三星的HBM4芯片采用了1c nm级DRAM制程与4nm逻辑制程，单堆栈带宽提升至最高3.3 TB/s，未来还将拓展至16层堆栈（16-Hi）及48GB容量。相比前代HBM3E产品，其功耗降低了40%，热阻改善10%，散热性能提升了30%。
受益于良品率的跃升，三星已将其第三季度HBM4 DRAM的季度营收目标调高至原本的三倍，并计划在2026年下半年将其在公司整体HBM产品线中的比重提升至60%以上。此外，针对下一代HBM4E内存，三星的可靠性测试良品率也已提升至70%。
在客户拓展方面，超威半导体（AMD）已在其最新的Instinct MI400系列AI加速芯片中率先采用三星的HBM4内存解决方案。凭借HBM4及后续HBM4E产品的性能提升，三星目前正在积极争取英伟达（NVIDIA）等主要客户的订单，计划将其芯片应用于英伟达未来的Rubin Ultra架构平台以及AMD下一代MI500系列产品中。这次技术良率的突破，标志着三星在人工智能内存领域的竞争格局中正重新占据有利地位。