三星晶圆代工厂正在试产第二代SF3工艺

据《朝鲜日报》报道，三星和台积电正在争夺即将量产的第二代3纳米GAA（Gate-All-Around）工艺的主导权。据称，这家巨大的韩国跨国制造企业集团正在争取潜在客户--内部消息指出，第二代3纳米工艺原型正在试运行：

"（代工厂）目前正在测试芯片的性能和可靠性，三星的目标是在未来6个月内实现3纳米第二代工艺60%以上的良品率，这也是公司内部设定的目标"。文章提到了英伟达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）和AMD等公司--要吸引这些知名客户离开台积电，还需要付出很大的努力。

据报道，三星正在确保内部使用的首批产品--内部消息称第二代3纳米工艺与即将推出的应用处理器（AP）有关。这个面向可穿戴设备的单元预计将驱动第七代Galaxy手表。

根据第二代SF3在GalaxyWatch7型号中的表现，该生产节点可能会获得公司LSI部门的认可，作为其Exynos2500移动SoC的技术基础。据信，这款即将推出的基于ARM的处理器将在2025年的GalaxyS25智能手机系列中首次亮相。

报道称，高通公司（Qualcomm）是该公司的主要目标客户，但要想从台积电的主导地位中夺回这家无晶圆厂制造商的份额并不容易。三星的GalaxyS24系列也将采用台积电N4P4纳米工艺制造的骁龙8Gen3芯片。