据韩国出版物《Hankyung》报道，三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3DNAND闪存），预计将提供290层结构，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。


报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。

这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。