AMD 将在三星 4nm 而非台积电 N4P 上制造下一代 I/O 芯片

早在一月份我们就报道过AMD在台积电的3nm级节点上设计其下一代"Zen6"CCD，并开发新系列的服务器和客户端I/O芯片（cIOD和sIOD）。I/O芯片是计算机处理器至关重要的组成部分，它包含处理器的所有非核心组件，包括内存控制器、PCIe根复合体以及与CCD和多插槽连接的InfinityFabric互连。

当时有报道称，这些新一代I/O芯片是在4纳米硅制造工艺上设计的，这被理解为AMD最喜欢的4纳米级节点，即台积电N4P，该公司从当前的"StrixPoint"移动处理器到"Zen5"CCD，都是在这一节点上制造的。 

这个节点很可能是三星的4LPP，也被称为SF4，它从2022年开始量产。下表显示了SF4与台积电N4P和英特尔4的比较，其中显示SF4在两者之间取得了平衡。