三星目标到2030年实现1000层NAND 已开始400层晶圆键合

三星的目标是到2030年凭借其新型"多BV"NAND设计制造出1000层NAND。TheBell报道称，该计划涉及堆叠四个晶圆以克服结构限制。晶圆键合技术在这一进展中起着至关重要的作用，三星打算利用它来突破1000层大关。

三星电子DS部门首席技术官SongJae-hyuk指出，晶圆键合技术允许在将外围晶圆和单元晶圆连接成一个半导体之前分别进行生产。这种技术可能会首先出现在三星的第10代NAND（V10）中，而业内专家认为，如果只采用单元结构，一个晶圆可以容纳大约500层NAND。过去，三星一直使用COP（CellonPeripheral）技术，这种方法是将外围电路放在一个晶圆上，NAND单元堆叠在上面。

三星的计划包括与中国的长江存储合作，该公司将为V10NAND提供混合键合专利。

ZDNet报道称，这家韩国科技公司将于2025年下半年开始大量生产V10NAND，层数约为420-430层。除了晶圆键合外，三星还在其NAND计划中增加了其他技术。使用钼的冷蚀刻技术和其他新思路将从400层NAND开始，并在发展到1000层的过程中发挥关键作用。 

尝试生产超高层NAND产品的不止三星一家。日本的Kioxia公司也希望通过其"多层CBA"（CMOS粘合阵列）技术实现这一目标。该公司的计划更加大胆，希望到2027年销售1000层3DNAND。