光刻机 - 5iter.com

📅 10-12

摘要：国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。该方案显示，长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米进一步缩减至0.000896平

芯片内存晶圆光刻机

📅 10-12

摘要：全球最大半导体设备厂商阿斯麦（ASML）将对销往韩国的全部设备替换零部件上调10%价格。本次涨价覆盖极紫外（EUV）、深紫外（DUV）光刻设备的所有零部件，2027年1月起交付的产品执行新价格。业内消息称，ASML总部于9月初通过韩

人工智能芯片半导体三星晶圆电源半导体制造光刻机

📅 10-10

摘要：据报道，阿斯麦（ASML）将对供应韩国的设备替换零部件统一涨价10%。涨价对象涵盖极紫外（EUV）与深紫外（DUV）光刻机全部零部件，自明年1月起交付的产品启用新价格。据10日行业消息，阿斯麦总部已于上月初通过韩国法人向三星与SK海

半导体三星光学光刻机

📅 10-05

摘要：一份最新研究报告显示，尽管先进EUV光刻机出口受到严格限制，中国大陆晶圆制造企业近年来持续采购浸没式DUV光刻设备，并已建立起相当规模的先进光刻能力储备。研究认为，这些设备足以支撑一定规模的7纳米级芯片生产，并可能削弱现有出口管制措施

人工智能芯片半导体晶圆光刻机

📅 10-05

摘要：在组建“联合微电子公司”（ОМК）的框架下，俄罗斯计划新建三座芯片工厂，其中一座是面向300mm晶圆、按14nm工艺生产芯片的“前瞻量产”工厂。按照投资进度表，2027年将启动这座300mm工厂的前期设计，并论证14nm基础工艺方案。

芯片晶圆电源光刻机

📅 09-24

摘要：据报道，美国投资研究机构伯恩斯坦最新报告指出，华为麒麟9050 Pro芯片将移动芯片与苹果的技术差距缩小至约三年，而上一代差距约为四年。该芯片基于中芯国际N+2或N+3工艺制造，制程水平相当于7nm。它没有使用EUV光刻机，而是通过D

苹果芯片 GPU CPU 台积电华为光刻机

📅 09-21

摘要：在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托

芯片内存智能手机三星 6G 小米光刻机努比亚

📅 09-09

摘要：荷兰光刻机制造商ASML于9月8日启动埃因霍温Brainport Industries Campus North新园区建设。项目将分期开发，总建筑面积预计约35万平方米；首期计划2029年完工，可容纳至少3000名员工，并引入面向TW

半导体科研航天光刻机

📅 09-08

摘要：英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展。当地时间9月8日，英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产，标志着英特尔正在将这项下一代光刻

芯片软件处理器英特尔晶圆光刻机

📅 09-08

摘要：为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外

芯片半导体晶圆半导体制造光刻机长江

📅 09-08

摘要：阿斯麦获顶级芯片制造商承诺使用其最新半导体生产设备，并启动一项更广泛的协议，以满足对更强大AI科技的激增需求。三星电子和台积电计划加入英特尔的行列，分别为不晚于2028年和从2030年开始，采用这家荷兰公司的高数值孔径极紫外（EUV）

芯片英伟达半导体三星英特尔台积电 AI算力光刻机

📅 09-08

摘要：三星电子周二表示，已加入一个由荷兰半导体设备制造商阿斯麦牵头的联盟，共同开发下一代半导体制造技术。这家韩国科技巨头称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。三星在一份新闻稿中表示：“基于

人工智能芯片半导体三星晶圆半导体制造光刻机