晶圆
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📅 10-12
长鑫G6内存面积再缩30% 键合工艺首次登场
摘要:国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。该方案显示,长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存,预计最快于2028年推出,芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米进一步缩减至0.000896平
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摘要:国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。该方案显示,长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存,预计最快于2028年推出,芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米进一步缩减至0.000896平